FDN352AP

商品型号 :

FDN352AP

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2424+

包装 :

--

库存 :

6000

系列

PowerTrench®

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

180 毫欧@1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.9 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

150pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

FDN352

ECCN

EAR99