BYG21M

商品型号 :

BYG21M

类目 :

整流桥

品牌 :

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1467

批次 :

2515+

包装 :

--

库存 :

7500

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

1000V

电流 - 平均整流 (Io)

1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6V@1.5 A

速度

快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr)

120ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

1 µA@1000 V

不同 Vr,F 时电容

13pF@4V,1MHz

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

DO-214AC,SMA

供应商器件封装

DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结

-55℃~150℃

基本产品编号

BYG21

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99