STD12NF06LT4

商品型号 :

STD12NF06LT4

类目 :

其它

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

21

批次 :

2342+

包装 :

--

库存 :

2011

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧@6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

350pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

42.8W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)