SIS932EDN-T1-GE3

商品型号 :

SIS932EDN-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

31

批次 :

2340+

包装 :

--

库存 :

955

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

22 毫欧@10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

14nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1000pF@15V

功率 - 最大值

2.6W(Ta),23W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8 双

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8 双

基本产品编号

SIS932

ECCN

EAR99