PSMN102-200Y,115

商品型号 :

PSMN102-200Y,115

类目 :

其它

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1500

起订量 :

1500

批次 :

21+

包装 :

--

库存 :

6010

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

21.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

102 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1568 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

113W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

湿气等级

1（无限）