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PSMN0R9-25YLC,115

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  • 最小包装量:1500
  • 批次:22+

商品PSMN0R9-25YLC,115规格参数

商品型号 :

PSMN0R9-25YLC,115

类目 :

其它

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1500

起订量 :

1500

批次 :

22+

包装 :

--

库存 :

51000

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

0.99 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.95V @ 1mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6775 pF @ 12 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

272W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

湿气等级

1(无限)

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