IGLD60R070D1AUMA3

商品型号 :

IGLD60R070D1AUMA3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

27

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1,6V@2,6mA

Vgs(最大值)

-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

380pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

114W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

3(168 小时)

产品状态

最后售卖