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    场效应管(MOSFET)BSC076N04NDATMA1采购_元器件采购商城
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    BSC076N04NDATMA1

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    商品BSC076N04NDATMA1规格参数

    商品型号 :

    BSC076N04NDATMA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

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    起订量 :

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    批次 :

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    包装 :

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    85

    系列

    OptiMOS™ T2

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 N-通道(双)

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    40V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    20A(Tc)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    7.6 毫欧@17A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V@30µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    38nC@10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    2950pF@20V

    功率 - 最大值

    2.3W(Ta),65W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    8-PowerVDFN

    供应商器件封装

    PG-TDSON-8-4

    基本产品编号

    BSC076

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • BSC076N04NDATMA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      BSC076N04NDATMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TDSON-8-4

      库存： 2490

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    • BSC076N04NDATMA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      BSC076N04NDATMA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TDSON-8-4

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