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场效应管(MOSFET)IKP04N60TXKSA1采购_元器件采购商城

IKP04N60TXKSA1

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商品IKP04N60TXKSA1规格参数

商品型号 :

IKP04N60TXKSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

50

起订量 :

50

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

314

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

8A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

12A

功率 - 最大值

42W

开关能量

143µJ

输入类型

标准

栅极电荷

27 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

14ns/164ns

测试条件

400V,4A,47 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

28ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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  • IKP04N60TXKSA1_场效应管(MOSFET)
    IKP04N60TXKSA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TO220-3-1

    库存: 357

    标准包: 1

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  • IKP04N60TXKSA1_场效应管(MOSFET)
    IKP04N60TXKSA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TO220-3-1

    库存: 357

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2237+

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