GAN7R0-150LBEZ

商品型号 :

GAN7R0-150LBEZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

4088

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

28A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7 毫欧@10A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.6 nC@5 V

Vgs(最大值)

+6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

865pF@85 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

28W

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

3-FCLGA(3.2x2.2)

封装/外壳

3-VLGA

基本产品编号

GAN7R0

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99