百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > AOM065V120X2Q
阶梯
美金
含税
1+
$170.0505
¥1412.0484
10+
$120.5361
¥1000.8957
50+
$99.3844
¥825.2581
240+
$85.5428
¥710.3214
720+
$85.3565
¥708.775
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-247-4L
描述:
1200V SILICON CARBIDE MOSFET
商品型号 :
AOM065V120X2Q
类目 :
品牌 :
ALPHA/AOS
最小包装量 :
240
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
238
系列
--
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
40.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧@10A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62.3 nC@15 V
Vgs(最大值)
+15V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1716pF@800 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
187.5W(Ta)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4
基本产品编号
AOM065
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 960
标准包: 240
增量: 10
批次: 22+
10+
--
¥31.5682
210+
--
¥31.2135
510+
--
¥30.8667
1010+
--
¥30.5275
库存: 960
标准包: 240
增量: 1
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