XPJR6604PB,LXHQ

商品型号 :

XPJR6604PB,LXHQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1500

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

4246

系列

U-MOSIX-H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.66 毫欧@100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

128 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

11380pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

375W(Tc)

工作温度

175℃

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

S-TOGL™

封装/外壳

5-PowerSFN

ECCN

EAR99