GT060N04D52

商品型号 :

GT060N04D52

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

5000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

5000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

62A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6.5 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

44nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1276pF@20V

功率 - 最大值

20W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-DFN(4.9x5.75)

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99