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    场效应管(MOSFET)IMBG120R116M2HXTMA1采购_元器件采购商城
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    IMBG120R116M2HXTMA1

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    • 包装：Cut Strips
    • 最小包装量：1
    • 批次：2346+

    商品IMBG120R116M2HXTMA1规格参数

    商品型号 :

    IMBG120R116M2HXTMA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    2346+

    包装 :

    Cut Strips

    库存 :

    538

    系列

    CoolSiC™ G2

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    SiCFET(碳化硅)

    漏源电压(Vdss)

    1200V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    21.2A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    15V,18V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    115.7 毫欧@6A,18V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.1V@1.9mA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    14.4 nC@18 V

    Vgs(最大值)

    +23V,-10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    500pF@800 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    123W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    PG-TO263-7-12

    封装/外壳

    TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

    基本产品编号

    IMBG120R116

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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