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NGW30T60M3DFQ

阶梯

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1+

$48.507

¥401.4703

10+

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¥265.8956

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  • 库存:349
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥401.4703

  • 包装:管件
  • 最小包装量:450

商品NGW30T60M3DFQ规格参数

商品型号 :

NGW30T60M3DFQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

450

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

349

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

75A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

90A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.7V@15V,30A

功率 - 最大值

285W

开关能量

700µJ(导通),400µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

130 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

60ns/180ns

测试条件

400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

110ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3L

ECCN

EAR99

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