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E3M0021120K

阶梯

美金

含税

1+

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¥1582.5981

30+

$119.0618

¥988.6535

60+

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¥918.0511

120+

$103.4129

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  • 库存:205
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥1582.5981

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品E3M0021120K规格参数

商品型号 :

E3M0021120K

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

205

系列

E

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

104A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

28.8 毫欧@62.1A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@17.1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

177 nC@15 V

Vgs(最大值)

+19V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5100pF@1000 V

功率耗散(最大值)

405W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4L

封装/外壳

TO-247-4

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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