TP65H070G4LSGB-TR

商品型号 :

TP65H070G4LSGB-TR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Transphorm

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

2050

系列

SuperGaN®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

85 毫欧@16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.6V@700µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.4 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

600pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

96W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN(8x8)

封装/外壳

8-PowerTDFN

ECCN

EAR99