SICW1000N170A-BP

商品型号 :

SICW1000N170A-BP

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MCC(美微科)

最小包装量 :

360

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

3605

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.32欧姆@1.5A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

15.5 nC@20 V

Vgs(最大值)

+25V,-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

124pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

69W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247AB

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

SICW1000

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99