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G3R60MT07J

阶梯

美金

含税

1+

--

¥92.6999

5+

--

¥87.1364

10+

--

¥81.5622

50+

--

¥79.4586

100+

--

¥77.3442

250+

--

¥74.6532

  • 库存:916
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥92.6999

  • 最小包装量:1

商品G3R60MT07J规格参数

商品型号 :

G3R60MT07J

类目 :

其它

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

916

系列

G3R™

包装

管件

FET 类型

--

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

750V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

+20V,-10V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

--

工作温度

--

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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