STGWA75H65DFB2

商品型号 :

STGWA75H65DFB2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2518+

包装 :

--

库存 :

600

系列

HB2

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

115A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

225A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,75A

功率 - 最大值

357W

开关能量

1.428mJ(导通),1.05mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

207 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

28ns/100ns

测试条件

400V,75A,2.2 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

88ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247 长引线

基本产品编号

STGWA75

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99