GNP1070TC-ZE2

商品型号 :

GNP1070TC-ZE2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

12

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

15

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V,5.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

98 毫欧@1.9A,5.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@18mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.2 nC@6 V

Vgs(最大值)

+6V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

200pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

56W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN8080K

封装/外壳

8-PowerDFN

基本产品编号

GNP1070

ECCN

EAR99