GAN080-650EBEZ

商品型号 :

GAN080-650EBEZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

1862

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

80 毫欧@8A,6V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@30.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.2 nC@6 V

Vgs(最大值)

+7V,-6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

225pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

240W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

供应商器件封装

DFN8080-8

封装/外壳

8-VDFN 祼焊盘

基本产品编号

GAN080

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99