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TK60S06K3L(T6L1,NQ

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大陆: 10-13工作日
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  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品TK60S06K3L(T6L1,NQ规格参数

商品型号 :

TK60S06K3L(T6L1,NQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

1388

系列

U-MOSIV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

8 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

60 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2900pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

88W(Tc)

工作温度

175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DPAK+

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

TK60S06

ECCN

EAR99

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