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TPC8134,LQ(S

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  • 库存:1629
  • 起订量:1
  • 倍数:1

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大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥75.0571

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品TPC8134,LQ(S规格参数

商品型号 :

TPC8134,LQ(S

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

1629

系列

U-MOSVI

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

52 毫欧@2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

20 nC@10 V

Vgs(最大值)

+20V,-25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

890pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOP

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

基本产品编号

TPC8134

ECCN

EAR99

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