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STGWA80H65DFB

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1+

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¥43.2184

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¥38.1364

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90+

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510+

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¥30.3407

  • 库存:579
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

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合计:

¥43.2184

  • 最小包装量:30

商品STGWA80H65DFB规格参数

商品型号 :

STGWA80H65DFB

类目 :

IGBT模块

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

579

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

120A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

240A

功率 - 最大值

469W

开关能量

2.1mJ(开),1.5mJ(关)

输入类型

标准

栅极电荷

414 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

84ns/280ns

测试条件

400V,80A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

85ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

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