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场效应管(MOSFET)SPD15P10PLGBTMA1采购_元器件采购商城

SPD15P10PLGBTMA1

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¥5.9212

  • 库存:2350
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数量:

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合计:

¥14803.00

  • 最小包装量:2500

商品SPD15P10PLGBTMA1规格参数

商品型号 :

SPD15P10PLGBTMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2500

起订量 :

2500

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2350

系列

SIPMOS®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

200 毫欧@11.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1.54mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

62 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1490pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

128W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

SPD15P10

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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