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NTMFD1D6N03P8

阶梯

美金

含税

1+

$23.391

¥193.5966

10+

$15.0363

¥124.4482

50+

$11.4032

¥94.3788

100+

$10.2324

¥84.6885

500+

$8.1782

¥67.6876

关税
  • 库存:2915
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥193.5966

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品NTMFD1D6N03P8规格参数

商品型号 :

NTMFD1D6N03P8

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

2915

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A(Ta),56A(Tc),32A(Ta),109A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 毫欧@17A,10V,1.6 毫欧@32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA,3V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24nC@10V,87nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1715pF@15V,6430pF@15V

功率 - 最大值

2.1W(Ta),23W(Tc),2.3W(Ta),29W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

基本产品编号

NTMFD1D6

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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