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IPD50N06S4L08ATMA2
阶梯
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含税
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¥4.2565
- 库存：5000
- 起订量：2500
- 倍数：2500
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TO252-3-11
-
描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
- 最小包装量：2500
- 批次：2623+
IPD50N06S4L08ATMA2其他库存
单 价：
品 牌：
HXY MOSFET(华轩阳电子)
库 存：
360000
起订量：
2500
单 价：
品 牌：
Infineon(英飞凌)/Cypress
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85000
起订量：
2500
单 价：
品 牌：
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存：
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起订量：
2500
商品IPD50N06S4L08ATMA2规格参数
商品型号 :
IPD50N06S4L08ATMA2
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
2500
起订量 :
2500
批次 :
2623+
包装 :
--
库存 :
5000
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
7.8 毫欧@50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V@35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
64 nC@10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4780pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
71W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
IPD50
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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