百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > G130N06S
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-SOP
描述:
MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
商品型号 :
G130N06S
类目 :
品牌 :
GOFORD(谷峰)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
剪切带(CT)
库存 :
3990
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧@10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
67 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3068pF@30 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.6W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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