STGWT30H60DFB

商品型号 :

STGWT30H60DFB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

60A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

120A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,30A

功率 - 最大值

260W

开关能量

383µJ(导通),293µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

149 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

37ns/146ns

测试条件

400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

53ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P

基本产品编号

STGWT30

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99