TPN2R805PL,L1Q

商品型号 :

TPN2R805PL,L1Q

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

4933

系列

U-MOSIX-H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

45V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.8 毫欧@40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.4V@300µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

39 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3200pF@22.5 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.67W(Ta),104W(Tc)

工作温度

175℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-TSON Advance(3.1x3.1)

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

TPN2R805

ECCN

EAR99