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NTMTS0D4N04CTXG

阶梯

美金

含税

1+

$54.5905

¥453.3032

10+

$36.3584

¥301.9093

50+

$28.537

¥236.9629

100+

$26.0197

¥216.0595

500+

$23.4228

¥194.4958

关税
  • 库存:2769
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥453.3032

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品NTMTS0D4N04CTXG规格参数

商品型号 :

NTMTS0D4N04CTXG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

2769

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

79.8A(Ta),558A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.45 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

251 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

16500pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

5W(Ta),244W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

供应商器件封装

8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

NTMTS0

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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