NSS1C200MZ4T3G

商品型号 :

NSS1C200MZ4T3G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

2000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

2A

电压 - 集射极击穿(最大值)

100V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

220mV@200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

120@500mA,2V

功率 - 最大值

800 mW

频率 - 跃迁

120MHz

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223(TO-261)

基本产品编号

NSS1C200

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99