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NTMYS2D1N04CLTWG

阶梯

美金

含税

1+

$24.1615

¥200.6299

10+

$15.5308

¥128.9627

50+

$11.7967

¥97.9563

100+

$10.5908

¥87.9429

500+

$8.4765

¥70.3862

关税
  • 库存:3000
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥200.6299

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品NTMYS2D1N04CLTWG规格参数

商品型号 :

NTMYS2D1N04CLTWG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

3000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

--

技术

--

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A(Ta),132A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

--

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

--

工作温度

--

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

LFPAK4(5x6)

封装/外壳

SOT-1023,4-LFPAK

基本产品编号

NTMYS2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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