百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPF016N06NF2SATMA1
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TO263-7-U02
描述:
MOSFET, N-CH, 60V, 223A, TO-263
商品型号 :
IPF016N06NF2SATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
172
系列
StrongIRFET™2
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Ta),223A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧@100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.3V@129µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
162 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7300pF@30 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),188W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-U02
封装/外壳
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
基本产品编号
IPF016
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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库存: 794
标准包: 800
增量: 1
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