BSZ215CHXTMA1

商品型号 :

BSZ215CHXTMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4770

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道互补型

FET 功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.1A,3.2A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

55 毫欧@5.1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.4V@110µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.8nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

419pF@10V

功率 - 最大值

2.5W

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

PG-TSDSON-8

基本产品编号

BSZ215

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99