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    场效应管(MOSFET)RGTH80TK65DGC11采购_元器件采购商城
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    RGTH80TK65DGC11

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    商品RGTH80TK65DGC11规格参数

    商品型号 :

    RGTH80TK65DGC11

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Rohm(罗姆)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    27

    批次 :

    1801+

    包装 :

    --

    库存 :

    30

    系列

    --

    包装

    管件

    IGBT 类型

    沟槽型场截止

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    650V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    31A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    160A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V@15V,40A

    功率 - 最大值

    66W

    开关能量

    --

    输入类型

    标准

    栅极电荷

    79 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    34ns/120ns

    测试条件

    400V,40A,10 欧姆,15V

    反向恢复时间 (trr)

    58ns

    工作温度

    -40℃~175℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    TO-3PFM,SC-93-3

    供应商器件封装

    TO-3PFM

    基本产品编号

    RGTH80

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • RGTH80TK65DGC11_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      RGTH80TK65DGC11

      品牌： Rohm(罗姆)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-3PFM

      库存： 30

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 1816+

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      ¥62.3518

      10+

      $5.5388

      ¥40.0663

      30+

      $5.4828

      ¥39.6613

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    • RGTH80TK65DGC11_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      RGTH80TK65DGC11

      品牌： Rohm(罗姆)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-3PFM

      库存： 30

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 1816+

      1+

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      $5.4928

      ¥39.7336

      100+

      $4.7778

      ¥34.5613

      120+

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      10+ ¥40.1396 ¥42.2522
      30+ ¥39.7336 ¥41.8248
      100+ ¥34.5613 ¥36.3803
      120+ ¥34.276 ¥36.08
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