G1K2C10S2

商品型号 :

G1K2C10S2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

4000

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

--

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Tc),3.5A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

130 毫欧@5A,10V,200 毫欧@3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

22nC@10V,23nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

668pF@50V,1732pF@50V

功率 - 最大值

2W(Tc),3.1W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOP

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99