NTH4L028N170M1

商品型号 :

NTH4L028N170M1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

313

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

81A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

40 毫欧@60A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.3V@20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

200 nC@20 V

Vgs(最大值)

+25V,-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4230pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

535W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4L

封装/外壳

TO-247-4

基本产品编号

NTH4L02

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99