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IRL7472L1TRPBF

阶梯

美金

含税

3+

$4.7957

¥36.6363

10+

$3.9273

¥30.0022

25+

$3.6088

¥27.5691

100+

$3.2344

¥24.7089

250+

$3.1525

¥24.0832

500+

$3.0953

¥23.6462

1000+

$3.0381

¥23.2093

关税
  • 库存:2762
  • 起订量:3
  • 倍数:1

货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 6-9工作日

数量:

- +

合计:

¥109.9089

  • 最小包装量:1
  • 批次:2242+

商品IRL7472L1TRPBF规格参数

商品型号 :

IRL7472L1TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

3

批次 :

2242+

包装 :

--

库存 :

2762

系列

StrongIRFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

375A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.59 毫欧@195A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

330 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

20082pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.8W(Ta),341W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DirectFET™ 等距 L8

封装/外壳

DirectFET™ 等距 L8

基本产品编号

IRL7472

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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