百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > G60N04D52
阶梯
美金
含税
1+
$14.5475
¥120.7981
10+
$9.1494
¥75.9739
50+
$6.8248
¥56.671
100+
$6.0734
¥50.4315
500+
$4.7514
¥39.4545
货期:
品牌:
分类:
封装:
8-DFN(4.9x5.75)
描述:
MOSFET 40V 35A 8DFN
商品型号 :
G60N04D52
类目 :
品牌 :
GOFORD(谷峰)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
剪切带(CT)
库存 :
4999
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧@20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1998pF@20V
功率 - 最大值
20W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)
基本产品编号
G60
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 5000
标准包: 5000
增量: 5000
批次: 2540+
5000+
$0.3705
¥2.8304
15000+
$0.3419
¥2.6119
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