百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 电阻 > 贴片电阻 > TSM085NB03DCR RLG
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-PDFNU(5x6)
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8PDFNU
商品型号 :
TSM085NB03DCR RLG
类目 :
品牌 :
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
剪切带(CT)
库存 :
4973
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Ta),51A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧@12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1091pF@15V
功率 - 最大值
2W(Ta),40W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-PDFNU(5x6)
基本产品编号
TSM085
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 850
标准包: 1
增量: 1
批次: 2225+
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关税
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标准包: 1
增量: 2500
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