BSS126H6327XTSA2

商品型号 :

BSS126H6327XTSA2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

2630+

包装 :

--

库存 :

30000

系列

SIPMOS®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 沟道,耗尽型

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

21mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

0V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

500 欧姆@16mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.7V@8µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.1 nC@5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

28pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT23

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

BSS126

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99