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G66

阶梯

美金

含税

1+

$5.2325

¥43.4491

10+

$3.2143

¥26.6902

50+

$2.3281

¥19.3315

100+

$2.0409

¥16.9471

500+

$1.5325

¥12.7255

关税
  • 库存:3000
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥43.4491

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品G66规格参数

商品型号 :

G66

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

3000

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

16V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

45 毫欧@4.1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.8 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

740pF@4 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.7W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-DFN(2x2)

封装/外壳

6-WDFN 祼焊盘

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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