DMTH10H032LFVWQ-13

商品型号 :

DMTH10H032LFVWQ-13

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

10

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

240

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

30 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

11.9 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

683pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.7W(Ta)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

供应商器件封装

PowerDI3333-8(SWP)UX 类

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

DMTH10

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99