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STGP10NC60KD

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¥20.4719

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合计:

¥20.4719

  • 最小包装量:50

商品STGP10NC60KD规格参数

商品型号 :

STGP10NC60KD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

10

系列

PowerMESH™

包装

管件

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

20A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

30A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.5V@15V,5A

功率 - 最大值

65W

开关能量

55µJ(导通),85µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

19 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

17ns/72ns

测试条件

390V,5A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

22ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

基本产品编号

STGP10

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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