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IRFL210TRPBF

阶梯

美金

含税

5+

--

¥1.8653

50+

--

¥1.6069

150+

--

¥1.4884

500+

--

¥1.2817

2500+

--

¥1.2131

  • 库存:4946
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥9.3265

  • 包装:编带
  • 最小包装量:2500

商品IRFL210TRPBF规格参数

商品型号 :

IRFL210TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

2500

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

编带

库存 :

4946

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

960mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.5 欧姆@580mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.2 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

140pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Ta),3.1W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

基本产品编号

IRFL210

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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