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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IGW100N60H3FKSA1

    场效应管(MOSFET)IGW100N60H3FKSA1采购_元器件采购商城
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    IGW100N60H3FKSA1

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    商品IGW100N60H3FKSA1规格参数

    商品型号 :

    IGW100N60H3FKSA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

    最小包装量 :

    240

    起订量 :

    240

    批次 :

    2533+

    包装 :

    --

    库存 :

    720

    系列

    TRENCHSTOP™

    包装

    管件

    IGBT 类型

    沟槽型场截止

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    600V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    140A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    300A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.3V@15V,100A

    功率 - 最大值

    714W

    开关能量

    3.7mJ(导通),1.9mJ(关断)

    输入类型

    标准

    栅极电荷

    625 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    30ns/265ns

    测试条件

    400V,100A,3.5 欧姆,15V

    工作温度

    -40℃~175℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    TO-247-3

    供应商器件封装

    PG-TO247-3

    基本产品编号

    IGW100

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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