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DMC25D1UVT-7

阶梯

美金

含税

5+

--

¥1.5687

50+

--

¥1.3676

150+

--

¥1.2744

500+

--

¥1.1644

3000+

--

¥1.1093

6000+

--

¥1.0721

  • 库存:1733
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥7.8435

  • 最小包装量:3000

商品DMC25D1UVT-7规格参数

商品型号 :

DMC25D1UVT-7

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1733

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

25V,12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

500mA,3.9A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4 欧姆@400mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.9nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

27.6pF@10V

功率 - 最大值

1.3W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装

TSOT-26

基本产品编号

DMC25

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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