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    场效应管(MOSFET)RGS30TSX2DGC11采购_元器件采购商城
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    RGS30TSX2DGC11

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    • 批次：2201+

    商品RGS30TSX2DGC11规格参数

    商品型号 :

    RGS30TSX2DGC11

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Rohm(罗姆)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    5

    批次 :

    2201+

    包装 :

    --

    库存 :

    5

    系列

    --

    包装

    管件

    IGBT 类型

    沟槽型场截止

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    30A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    45A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V@15V,15A

    功率 - 最大值

    267W

    开关能量

    740µJ(导通),600µJ(关断)

    输入类型

    标准

    栅极电荷

    41 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    30ns/70ns

    测试条件

    600V,15A,10 欧姆,15V

    反向恢复时间 (trr)

    157ns

    工作温度

    -40℃~175℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    TO-247-3

    供应商器件封装

    TO-247N

    基本产品编号

    RGS30

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • RGS30TSX2DGC11_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      RGS30TSX2DGC11

      品牌： Rohm(罗姆)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247N

      库存： 10

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2237+

      1+

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      ¥73.8036

      10+

      $7.4557

      ¥53.9324

      100+

      $5.7169

      ¥41.3546

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    • RGS30TSX2DGC11_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      RGS30TSX2DGC11

      品牌： Rohm(罗姆)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247N

      库存： 10

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2237+

      1+

      $10.2215

      ¥73.9393

      10+

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      $5.1177

      ¥37.0202

      900+

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      10+ ¥54.0314 ¥56.8752
      100+ ¥41.4309 ¥43.6115
      450+ ¥37.0202 ¥38.9686
      900+ ¥35.4247 ¥37.2892
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